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第三代半導(dǎo)體材料迎來發(fā)展時(shí)機(jī)！

發(fā)布時(shí)間:2021-06-18 丨 閱讀次數(shù):

我們所知道的第一代半導(dǎo)體是硅（Si）、鍺（Ge），鍺主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但由于耐熱和抗壓行差，后續(xù)被硅材料所取代，現(xiàn)今硅材料主要作為基礎(chǔ)材料來制作電子產(chǎn)品。第二代半導(dǎo)體材料是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），更新?lián)Q代的材料比第一代的硅擁有更加優(yōu)秀的性能，適合用于大功率、高速等發(fā)光元器件，被廣泛運(yùn)用于通信領(lǐng)域。

那什么是第三代半導(dǎo)體呢？第三代半導(dǎo)體材料主要是以新興材料碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料。因其擁有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更符合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。例如小米120W快充電源適配器，就是利用了第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）大功率、高效能量轉(zhuǎn)化的特點(diǎn)，最快速度可以在20分鐘將手機(jī)電量充滿，贏得市場的青睞。

第三代半導(dǎo)體也與綠色低碳、智慧經(jīng)濟(jì)等國家重大戰(zhàn)略要求觀念相符，現(xiàn)在已成為全世界半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的關(guān)注核心，在國家相關(guān)政策的扶持幫助下，我國的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸形成，不少傳統(tǒng)的半導(dǎo)體企業(yè)都在布局第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)域，不斷創(chuàng)新發(fā)展。

值得注意的是，第三代半導(dǎo)體并不是取代了第一、二代半導(dǎo)體材料，它們?nèi)邞?yīng)用在不同領(lǐng)域不同產(chǎn)品上各有各的優(yōu)點(diǎn)，集合在一起又是互補(bǔ)的關(guān)系。